Skripsi

Pengaruh variasi daya RF sputtering pada pelapisan blocking layer TiO2 terhadap performa DSSC / ALFIATUL MA\'ARIFAH

Abstrak
Pada penelitian ini telah dilakukan optimasi pelapisan blocking layer (BL) TiO2 menggunakan RF sputtering untuk meningkatkan performa DSSC. Blocking layer TiO2 dibuat dengan variasi daya sputtering (0 140 dan 180 W). Berdasarkan hasil karakterisasi XRD dan SEM menunjukkan semakin meningkat daya sputtering diperoleh ukuran kristal semakin kecil sehingga meningkatkan permukaan aktif. Hasil UV-Vis menunjukkan bahwa peningkatan daya sputtering dapat menurunkan band gap dari 3 29 eV menjadi 3 27 eV. Pada penelitian ini diperoleh peningkatan efisiensi DSSC dari 3 23% menjadi 7 71%. Peningkatan efisiensi ini menunjukkan bahwa BL TiO2 sputtering dapat mengurangi rekombinasi yang ditunjukkan dengan peningkatan lifetime elektron. Hal tersebut diperkuat dengan hasil EIS yang menujukkan penggunaan blocking layer TiO2 sputtering meningkatkan lifetime elektron dari 2 02 ms menjadi 12 8 ms.

Informasi Detail

DDC

SKRIPSI DIGITAL

Prodi

Universitas Negeri Malang. Program Studi Fisika, 2024.

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

Indonesia

No Reg

4292/RS/24

Edisi

Skripsi (Sarjana)--Universitas Negeri Malang. 2024

Subjek

1. VARIASI DAYA RF SPUTTERING
2. LAPISAN LAYER TiO2 - PERFORMA DSSC
3. RF SPUTTERING POWER VARIATION

Pembimbing

1. Dr. Herlin Pujiarti, M.si; 2. Prof. Dr. Arif Hidayat, M.si

Lampiran Berkas