Skripsi

Optimasi lama waktu sputtering dalam pembentukan lapisan bloking layer tio2 pada dye sensitized solan cell / Ikfa Rika ELma Suherlianti

Abstrak
Pada penelitian ini telah dilakukan optimasi pelapisan blocking layer (BL) TiO2 menggunakan DC sputtering untuk meningkatkan performa DSSC. Blocking layer TiO2 dibuat dengan variasi waktu sputtering (30 dan 60 menit). Berdasarkan hasil karakterisasi XRD dan SEM menunjukkan semakin meningkat waktu sputtering diperoleh ukuran kristal semakin kecil sehingga meningkatkan luas permukaan. Hasil UV-Vis menunjukkan bahwa peningkatan waktu sputtering dapat menurunkan band gap menjadi 3 27 eV. Pada penelitian ini diperoleh peningkatan efisiensi DSSC dari 2 87% menjadi 5 93%. Peningkatan efisiensi ini menunjukkan bahwa BL TiO2 dapat mengurangi rekombinasi yang ditunjukkan dengan peningkatan lifetime elektron. Hal tersebut diperkuat dengan hasil EIS yang menujukkan penggunaan blocking layer TiO2 meningkatkan lifetime elektron dari 6 39 ms menjadi 8 02 m

Informasi Detail

DDC

SKRIPSI DIGITAL

Prodi

Universitas Negeri Malang. Program Studi Fisika, 2024.

Deskripsi Fisik

ix, 9, hlm. : ilus.

Bahasa

Indonesia

No Reg

1258/RS/25

Edisi

Skripsi (Sarjana)--Universitas Negeri Malang. 2024

Subjek

1. SPUTTERING - BLOKING LAYER TIO2 - DYE SENSITIZED SOLAN CELL

Pembimbing

1. Dr. Herlin Pujiarti, M.si;2. Dr. Ahmad Taufiq, S.pd, M.si

Lampiran Berkas