Tesis
Modifikasi mikrostruktur melalui doping sb dan bi pada komposit CuS/Sn1-x(Sb,Bi)xO2 terhadap performa termoelektrik / Izzatunnisa Azzahra
Abstrak
Material SnO doping Sb dan Bi disintesis melalui metode kopresipitasi dan dikompositkan dengan CuS menggunakan metode ball milling. SnO yang disintesis memiliki performa yang kurang memadai untuk aplikasi termoelektrik sehingga penambahan Sb (metaloid) dan Bi (logam pascatransisi berat) dipilih karena sifat elektronik serta parameter kisinya sesuai untuk memodifikasi sifat kelistrikan SnO dan komposit CuS sebagai fase komplementer menyediakan jalur transport listrik (carrier) dan antarmuka heterostruktur yang dapat meningkatkan konduktivitas listrik yang efektif tanpa menurunkan seebeck secara drastis. Variasi dari doping Bi dan Sb adalah 0 0 0 02 dan 0 04 mol. Kombinasi keduanya diharapkan mampu mengoptimalkan konduktivitas listrik dan koefisien seebeck dan meningkatkan power factor. Serbuk CuS/Sn M O (M Sb Bi) dipres menjadi pelet dan dikarakterisasi menggunakan XRD SEM-EDX Mapping DTA/TGA dan LZT. Hasil menunjukkan ukuran kristal CuS/SnO sebesar 28 55 nm dengan kristalinitas 52 79%. Morfologi CuS/SnO menunjukkan partikel tidak beraturan dengan aglomerasi besar. Analisis DTA/TGA memperlihatkan puncak endotermik dan eksotermik yang mengindikasikan transisi termal pelepasan molekul volatil dan kemungkinan rekristalisasi parsial dengan kehilangan massa total 80 25%. Performa termoelektrik yang paling optimal adalah CuS/SnO doping Bi (0 02) dengan nilai koefisien seebeck -162 003 micro V/K konduktivitas listrik 21 71 S/cm dan power factor 57 times 104 micro W/cm.K2.