Tesis

Pengaruh suhu anil dan dosis ion pada hambatan lapisan semikonduktor silikon diimplantasi ion boron dan fosfor dosis tinggi / oleh Yudyanto

Abstrak
indonesia PENGARUH SUHU ANIL DAN DOSIS ION PADA HAMBATAN LAPIS LAPISAN SEMIKONDUKTOR SILIKON DIIMPLANTASI ION BORON DAN FOSFOR DOSIS TINGGI oleh Yudyanto INTISARI Telah dilakukan pengukuran hambatan lapis (sheet resistivity) sebagai fungsi dari suhu anil dan dosis ion dari lapisan semikonduktor silikon diimplantasi ion boron dan fosfor dosis tinggi dengan menggunakan metode probe einpat titik dan pada suhu kamar. Ion boron diimplantasi-kan pada wafer silikon dengan tenaga 30 keV dan 60 keV sedangkan ion fosfor dengan tenaga 60 keV dan 90 keV. Dosis ion dipilih dengan rentangan dari 7E 15 ion/cm2 hingga 8E 16 ion/cm2. Kondisi wafer saat diimplantasi sudut kemiringan 7 deg sudut putar 30 deg dan pada suhu kainar. Cuplikan dianil secara isokronal (selama 30 menit) dari suhu 200 deg C hingga 1100 deg C di dalam tabung pemanas dengan dialiri gas nitrogen. Dari hasil pengukuran dipe-roleh hambatan lapis dari Silikon yang diimplantasi de-ngan boron mempunyai nilai konstan (pembawa muatan dalam keadaan aktif penuh) pada suhu anil plusmn 800 deg C dan untuk implantasi dengan ion fosfor diperoleh pada suhu anil 900 deg C. Selain itu diperoleh pula bahwa dengan naiknya dosis akan menyebabkan turunnya nilai hambatan lapis (pada keadaan aktif penuh). Kata kunci implantasi ion suhu anil hambatan lapis inggris THE EFFECT OF ANNEALING TEMPERATURE AND ION DOSES ON THE SHEET RESISTIVITY OF SILICON IMPLANTED WITH HIGH DOSES OF BORON AND PHOSPHORUS IONS By Yudyanto ABSTRACT The sheet resistivity measurement of the Silicon wafer implanted with high doses of Boron and Phosphorus ions as a function of annealing temperature and ions doses was carried out at a room temperature using four point probe technique. The Silicon wafer was implanted with Boron ions at the energy of 30 keV and 60 keV. The Silicon wafer was also implanted with Phosphorus ions at the energy of 60 keV and 90 keV. The ions doses were chosen in the range between 7E 15 ions/cats and 8E 16 ions/ca . When the implantation was done to the wafer the wafer position was fixed at a tilt angle of 7 degrees and 30 degrees. Afterwards the wafer was annealed iso-chronally (for 30 minutes) with varying temperatures between 200 deg C and 1100 deg C in the furnance under nitrogen atmosphere. From the experimental results obtained the sheet resistivity of Silicon implanted with Boron and Phosphorus ions were found constant (the charge carrier at full activation) at the annealing temperatures of 800 deg C and 900 deg C respectively. The increasing ions doses above will result in a decrease of the sheet resistivity of the silicon layer. Keywords Ion implantation annealing temperature sheet resistivity

Informasi Detail

DDC

Rt 537.622 YUD p

Prodi

UGM YOGYAKARTA. PASCA SARJANA. PROGRAM STUDI ILMU FISIKA,, 1995.

Deskripsi Fisik

xiii, 88 lembar il., tab. 28 cm.

Bahasa

Indonesia

No Reg

00653/KI/95

Edisi

Tesis (Pasca Sarjana)--UGM Yogyakarta, 1995

Subjek

1. SEMIKONDUKTOR

Pembimbing

1. PRAYOTO, 2. SUDJATMOKO

Lampiran Berkas